H5ANAG4NBJR-RDC vs H5ANAG6NBJR-VKC 비교

다음의 상세 나란히 비교: H5ANAG4NBJR-RDC 제조: SK hynix 및 H5ANAG6NBJR-VKC 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

SK hynix
H5ANAG4NBJR-RDC H5ANAG4NBJR-RDC - 16Gb DDR4 SDRAM 4Gx4 1.2V | SK hynix

H5ANAG4NBJR-RDC - 16Gb DDR4 SDRAM 4Gx4 1.2V | SK hynix

H5ANAG4NBJR-RDC ✓ 활성

사양 비교

파라미터 H5ANAG4NBJR-RDC H5ANAG6NBJR-VKC
브랜드 SK hynix SK hynix
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $5.75 $15.00
메모리 유형 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gb (2 GB) —
메모리 구성 4G x 4 [DATA_NEEDED: x16 organization per datasheet]
Supply Voltage VDD 1.2 V —
데이터 속도 2666 MT/s (speed bin NBJR, [DATA_NEEDED: exact MT/s confirmation from datasheet]) 2666 Mbps (per family reference, VKC speed code)
패키지 78-ball FBGA FBGA-96 (PBGA96)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Prefetch 16n (bank group architecture) —
인터페이스 SSTL-12 DDR4, SSTL-12
특징 Bank groups, CA parity, data CRC, ODT, DLL-off mode —
Refresh Self refresh, 8n refresh [DATA_NEEDED: 1x/2x/4x refresh option] —
Operating Temperature (case) -40C to +85C (industrial; extended to 95C per datasheet conditions) —
Temperature Grade Suffix RDC - industrial temperature, lead-free, halogen-free —
RoHS 상태 Compliant (lead-free / halogen-free per RDC suffix) [DATA_NEEDED: RoHS status]
VDDQ 1.2 V —
Product Family SK hynix computing 16Gb DDR4 H5ANAG4(8_6)NBJR series —
Manufacturer — SK Hynix
Part Number — H5ANAG6NBJR-VKC
Memory Density — 16Gb (2GB)
공급 전압 — 1.2 V (DDR4 standard)
동작 온도 — -40C to +95C (family grade reference)
Auto Self-Refresh — Yes
Data Mask Function — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Dynamic On-Chip Termination — Yes
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes

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