H5ANAG6NAMR-UHC vs H5ANAG8NCMR-VKC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5ANAG6NAMR-UHC par SK hynix et H5ANAG8NCMR-VKC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre H5ANAG6NAMR-UHC H5ANAG8NCMR-VKC
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $4,50 $8,05
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Density 16 Gbit (2 GB) —
Organisation de la mémoire 1G x 16 —
Speed Grade / Data Rate DDR4-2400 (UHC bin, PC4-19200) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V 1.2 V
Architecture CMOS DDR4 with bank groups —
Power Class Normal Power Normal Power
Boîtier FBGA-96 (PBGA96) FBGA-78
Type de montage Surface Mount (BGA solder ball) Surface Mount
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Refresh Self-refresh and auto-refresh (DDR4 standard 64 ms) —
Latence CAS [DATA_NEEDED: CL for UHC bin] [DATA_NEEDED: CAS latency for VK speed bin]
Type d'interface Parallel, synchronous, double data rate —
Available Speed Bins (family) PB / RD / TF / UH / VK —
Application Class Main memory, embedded, industrial —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Statut du cycle de vie Active production —
Taille de mémoire — 16 Gb
Memory Organization — 2G x 8
Débit de données — 2666 Mbps/pin (DDR4-2666)
I/O Voltage (VDDQ) — 1.2 V
Speed Grade — VK (per SK hynix speed-bin suffix)
Bank Groups — 4
Banks Total — 16
Packaging — [DATA_NEEDED: standard packing quantity]
Manufacturer Process — CMOS DRAM

Fiches techniques et ressources

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