H5ANAG6NAMR-UHC vs H5ANAG8NCMR-VKC Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5ANAG6NAMR-UHC von SK hynix und H5ANAG8NCMR-VKC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter H5ANAG6NAMR-UHC H5ANAG8NCMR-VKC
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $4,50 $8,05
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Density 16 Gbit (2 GB) —
Speicherorganisation 1G x 16 —
Speed Grade / Data Rate DDR4-2400 (UHC bin, PC4-19200) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V 1.2 V
Architecture CMOS DDR4 with bank groups —
Power Class Normal Power Normal Power
Gehäuse FBGA-96 (PBGA96) FBGA-78
Montageart Surface Mount (BGA solder ball) Surface Mount
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Refresh Self-refresh and auto-refresh (DDR4 standard 64 ms) —
CAS-Latenz [DATA_NEEDED: CL for UHC bin] [DATA_NEEDED: CAS latency for VK speed bin]
Schnittstellentyp Parallel, synchronous, double data rate —
Available Speed Bins (family) PB / RD / TF / UH / VK —
Application Class Main memory, embedded, industrial —
RoHS-Status [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Lebenszyklusstatus Active production —
Speichergröße — 16 Gb
Memory Organization — 2G x 8
Datenrate — 2666 Mbps/pin (DDR4-2666)
I/O Voltage (VDDQ) — 1.2 V
Speed Grade — VK (per SK hynix speed-bin suffix)
Bank Groups — 4
Banks Total — 16
Packaging — [DATA_NEEDED: standard packing quantity]
Manufacturer Process — CMOS DRAM

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