H5ANAG6NAMR-UHC vs H5ANAG8NCMR-VKC Comparação

Comparação detalhada lado a lado de H5ANAG6NAMR-UHC por SK hynix e H5ANAG8NCMR-VKC por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro H5ANAG6NAMR-UHC H5ANAG8NCMR-VKC
Marca SK hynix SK hynix
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $4,50 $8,05
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Density 16 Gbit (2 GB) —
Organização da memória 1G x 16 —
Speed Grade / Data Rate DDR4-2400 (UHC bin, PC4-19200) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V 1.2 V
Architecture CMOS DDR4 with bank groups —
Power Class Normal Power Normal Power
Encapsulamento FBGA-96 (PBGA96) FBGA-78
Tipo de montagem Surface Mount (BGA solder ball) Surface Mount
Temperatura de operação [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Refresh Self-refresh and auto-refresh (DDR4 standard 64 ms) —
Latência CAS [DATA_NEEDED: CL for UHC bin] [DATA_NEEDED: CAS latency for VK speed bin]
Tipo de interface Parallel, synchronous, double data rate —
Available Speed Bins (family) PB / RD / TF / UH / VK —
Application Class Main memory, embedded, industrial —
Status RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Status do ciclo de vida Active production —
Tamanho da memória — 16 Gb
Memory Organization — 2G x 8
Taxa de dados — 2666 Mbps/pin (DDR4-2666)
I/O Voltage (VDDQ) — 1.2 V
Speed Grade — VK (per SK hynix speed-bin suffix)
Bank Groups — 4
Banks Total — 16
Packaging — [DATA_NEEDED: standard packing quantity]
Manufacturer Process — CMOS DRAM

Fichas técnicas e recursos

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