H5ANAG6NBJR-RDC vs H5ANAG8NBJR-RDC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5ANAG6NBJR-RDC par SK hynix et H5ANAG8NBJR-RDC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5ANAG6NBJR-RDC | H5ANAG8NBJR-RDC |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | DRAM | DRAM |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $9,60 | $3,55 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Memory Organization | 16Gb x16 | — |
| Density | 16 Gb | 16 Gbit |
| Débit de données | 2666 Mbps (speed grade -RDC) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| Interface | Synchronous, double data rate | SSTL12 |
| Clocking | Fully synchronous to both clock edges | — |
| Boîtier | FBGA (Ball Grid Array), surface mount | 78-ball FBGA |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CMOS | — |
| Standard | JEDEC DDR4 SDRAM | — |
| Application | Main memory | — |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |
| On-Die Termination (ODT) | Supported (DDR4 feature) | — |
| Bank Group Architecture | DDR4 bank groups (per JEDEC DDR4) | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | Compliant (lead-free PBGA per family product data) |
| Organisation de la mémoire | — | 2G x 8 |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Speed Grade (suffix R) | — | DDR4-2666 class |
| Refresh | — | Self-refresh and auto-refresh (8K/64ms class per family datasheet) |
| Bank Groups | — | 4 (per 16Gb DDR4 family datasheet) |
| Data Strobe | — | DQS with read/write training |
| Data Bus Inversion | — | Supported (DBI) |
| Latence CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Statut du cycle de vie | — | Active |