H5ANAG6NCJR-XN vs H5ANAG6NCMR-XNC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5ANAG6NCJR-XN par SK hynix et H5ANAG6NCMR-XNC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre H5ANAG6NCJR-XN H5ANAG6NCMR-XNC
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $71,20 $31,40
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (Volatile DRAM)
Density 16 Gbit (1G x 16) —
Organisation de la mémoire 1G x 16 —
Débit de données 3200 Mbps/pin (DDR4-3200) 3200 Mbps/pin
Supply Voltage (VDD) 1.14 V to 1.26 V 1.2 V
Boîtier FBGA-96 (96-ball) FBGA-96
Package Width 8 mm —
Type de montage Surface Mount (BGA) Surface Mount
Auto Self-Refresh Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Data Mask (DM) Yes —
Dynamic On-Chip Termination (ODT) Yes —
ZQ Calibration Yes —
CRC (Command/Address) Yes —
Write Leveling Yes —
Maximum Standby Current 0.074 A (per Vyrian listing) —
Statut RoHS Compliant RoHS Compliant
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Latence CAS [DATA_NEEDED: CAS latency for -XN speed grade] [DATA_NEEDED: CAS latency at 3200]
Taille de mémoire — 16 Gb
Memory Organization — 1G x 16
Technology — CMOS
Power Class — Normal Power
Interface — Parallel
Speed Grade — XN (3200)
Product Status — Active
Refresh — [DATA_NEEDED: refresh rate]
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

Fiches techniques et ressources

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