H5ANAG6NCJR-XN vs H5ANAG6NCMR-XNC Comparação

Comparação detalhada lado a lado de H5ANAG6NCJR-XN por SK hynix e H5ANAG6NCMR-XNC por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro H5ANAG6NCJR-XN H5ANAG6NCMR-XNC
Marca SK hynix SK hynix
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $71,20 $31,40
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (Volatile DRAM)
Density 16 Gbit (1G x 16) —
Organização da memória 1G x 16 —
Taxa de dados 3200 Mbps/pin (DDR4-3200) 3200 Mbps/pin
Supply Voltage (VDD) 1.14 V to 1.26 V 1.2 V
Encapsulamento FBGA-96 (96-ball) FBGA-96
Package Width 8 mm —
Tipo de montagem Surface Mount (BGA) Surface Mount
Auto Self-Refresh Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Data Mask (DM) Yes —
Dynamic On-Chip Termination (ODT) Yes —
ZQ Calibration Yes —
CRC (Command/Address) Yes —
Write Leveling Yes —
Maximum Standby Current 0.074 A (per Vyrian listing) —
Status RoHS Compliant RoHS Compliant
Temperatura de operação [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Latência CAS [DATA_NEEDED: CAS latency for -XN speed grade] [DATA_NEEDED: CAS latency at 3200]
Tamanho da memória — 16 Gb
Memory Organization — 1G x 16
Technology — CMOS
Power Class — Normal Power
Interface — Parallel
Speed Grade — XN (3200)
Product Status — Active
Refresh — [DATA_NEEDED: refresh rate]
Nível MSL — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

Fichas técnicas e recursos

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