H5ANAG6NCJR-XNC vs H5ANAG6NBJR-RDC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5ANAG6NCJR-XNC par SK hynix et H5ANAG6NBJR-RDC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5ANAG6NCJR-XNC | H5ANAG6NBJR-RDC |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | DRAM |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $84,97 | $9,60 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Taille de mémoire | 16 Gbit | — |
| Memory Organization | 1G x 16 | 16Gb x16 |
| Débit de données | 3200 Mbps/pin | 2666 Mbps (speed grade -RDC) |
| Supply Voltage Range | 1.14 V to 1.26 V (VDD/VDDQ) | — |
| Interface | Parallel | Synchronous, double data rate |
| Boîtier | FBGA-96 | FBGA (Ball Grid Array), surface mount |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Packaging | Tray | — |
| Statut RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Density | — | 16 Gb |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Clocking | — | Fully synchronous to both clock edges |
| Technology | — | CMOS |
| Standard | — | JEDEC DDR4 SDRAM |
| Application | — | Main memory |
| Température de fonctionnement | — | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |
| On-Die Termination (ODT) | — | Supported (DDR4 feature) |
| Bank Group Architecture | — | DDR4 bank groups (per JEDEC DDR4) |