H5ANAG6NCJR-XNC vs H5ANAG6NBJR-RDC 比較

詳細な並列比較: H5ANAG6NCJR-XNC メーカー: SK hynix および H5ANAG6NBJR-RDC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

SK hynix
H5ANAG6NCJR-XNC H5ANAG6NCJR-XNC - 16Gb DDR4-3200 SDRAM x16 | SK Hynix

H5ANAG6NCJR-XNC - 16Gb DDR4-3200 SDRAM x16 | SK Hynix

H5ANAG6NCJR-XNC ✓ 生産中
SK hynix
H5ANAG6NBJR-RDC H5ANAG6NBJR-RDC - 16Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK hynix

H5ANAG6NBJR-RDC - 16Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK hynix

H5ANAG6NBJR-RDC ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H5ANAG6NCJR-XNC H5ANAG6NBJR-RDC
ブランド SK hynix SK hynix
カテゴリ Memory ICs DRAM
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $84.97 $9.60
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
メモリサイズ 16 Gbit —
Memory Organization 1G x 16 16Gb x16
データレート 3200 Mbps/pin 2666 Mbps (speed grade -RDC)
Supply Voltage Range 1.14 V to 1.26 V (VDD/VDDQ) —
インターフェース Parallel Synchronous, double data rate
パッケージ FBGA-96 FBGA (Ball Grid Array), surface mount
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Auto Self-Refresh Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Data Mask Function Yes —
Dynamic On-Chip Termination (ODT) Yes —
ZQ Calibration Yes —
CRC Function Yes —
Write Leveling Yes —
Packaging Tray —
RoHS ステータス Compliant [DATA_NEEDED: RoHS Status]
Density — 16 Gb
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Clocking — Fully synchronous to both clock edges
Technology — CMOS
Standard — JEDEC DDR4 SDRAM
Application — Main memory
動作温度 — [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
On-Die Termination (ODT) — Supported (DDR4 feature)
Bank Group Architecture — DDR4 bank groups (per JEDEC DDR4)

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