H5ANAG6NCJR-XNC vs H5ANAG6NBJR-UHC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5ANAG6NCJR-XNC par SK hynix et H5ANAG6NBJR-UHC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5ANAG6NCJR-XNC | H5ANAG6NBJR-UHC |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | DRAM |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $84,97 | $8,09 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Taille de mémoire | 16 Gbit | — |
| Memory Organization | 1G x 16 | — |
| Débit de données | 3200 Mbps/pin | — |
| Supply Voltage Range | 1.14 V to 1.26 V (VDD/VDDQ) | — |
| Interface | Parallel | DDR4 (CMOS) |
| Boîtier | FBGA-96 | PBGA96 / FBGA-96 (TFBGA) |
| Type de montage | Surface Mount | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | Supported |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | Supported |
| CRC Function | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | Supported |
| Packaging | Tray | — |
| Statut RoHS | Compliant | RoHS Compliant |
| Density | — | 4 Gb |
| Organisation de la mémoire | — | 256M x 16 |
| Package Dimensions | — | 13 mm length (per JESD-30 R-PBGA-B96) |
| Access Mode | — | Multi Bank, Page Burst |
| Température de fonctionnement | — | -40C to +95C |
| Refresh | — | Auto / Self Refresh |
| Data Mask | — | Supported (DM function) |
| On-Chip Termination | — | Dynamic ODT |
| CRC | — | Supported |
| Supply Voltage Class | — | DDR4 (1.2 V class) |
| REACH Compliance | — | Compliant |
| ECCN | — | EAR99 |
| HTS Code | — | 8542.32.00.36 |
| Latence CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Max Data Rate | — | [DATA_NEEDED: Max Data Rate] |