H5ANAG6NCR-UHC vs H5ANAG6NCJR-XN Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5ANAG6NCR-UHC par SK hynix et H5ANAG6NCJR-XN par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre H5ANAG6NCR-UHC H5ANAG6NCJR-XN
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie Mobile LPDDR4 Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $9,20 $71,20
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Density 16 Gb (2 GB) —
Organisation de la mémoire 1G x 16 1G x 16
Interface CMOS, Double Data Rate IV —
Boîtier FBGA-96 (PBGA-96) FBGA-96 (96-ball)
Die Revision C —
Speed Grade [DATA_NEEDED: Speed grade / data rate] —
Supply Voltage (VDD) [DATA_NEEDED: VDD voltage] 1.14 V to 1.26 V
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: Operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Configuration 1 Channel, 1 Rank —
Refresh [DATA_NEEDED: Refresh scheme] —
Type de montage Surface Mount Surface Mount (BGA)
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Factory Packing Quantity [DATA_NEEDED: Standard packing quantity] —
Application Main memory, embedded computing, industrial controllers —
Density — 16 Gbit (1G x 16)
Débit de données — 3200 Mbps/pin (DDR4-3200)
Package Width — 8 mm
Auto Self-Refresh — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask (DM) — Yes
Dynamic On-Chip Termination (ODT) — Yes
ZQ Calibration — Yes
CRC (Command/Address) — Yes
Write Leveling — Yes
Maximum Standby Current — 0.074 A (per Vyrian listing)
Latence CAS — [DATA_NEEDED: CAS latency for -XN speed grade]

Fiches techniques et ressources

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