H5ANAG6NCR-UHC vs H5ANAG6NCJR-XN Comparação

Comparação detalhada lado a lado de H5ANAG6NCR-UHC por SK hynix e H5ANAG6NCJR-XN por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro H5ANAG6NCR-UHC H5ANAG6NCJR-XN
Marca SK hynix SK hynix
Categoria Mobile LPDDR4 Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $9,20 $71,20
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Density 16 Gb (2 GB) —
Organização da memória 1G x 16 1G x 16
Interface CMOS, Double Data Rate IV —
Encapsulamento FBGA-96 (PBGA-96) FBGA-96 (96-ball)
Die Revision C —
Speed Grade [DATA_NEEDED: Speed grade / data rate] —
Supply Voltage (VDD) [DATA_NEEDED: VDD voltage] 1.14 V to 1.26 V
Temperatura de operação [DATA_NEEDED: Operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Configuration 1 Channel, 1 Rank —
Refresh [DATA_NEEDED: Refresh scheme] —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount (BGA)
Status RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Factory Packing Quantity [DATA_NEEDED: Standard packing quantity] —
Application Main memory, embedded computing, industrial controllers —
Density — 16 Gbit (1G x 16)
Taxa de dados — 3200 Mbps/pin (DDR4-3200)
Package Width — 8 mm
Auto Self-Refresh — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask (DM) — Yes
Dynamic On-Chip Termination (ODT) — Yes
ZQ Calibration — Yes
CRC (Command/Address) — Yes
Write Leveling — Yes
Maximum Standby Current — 0.074 A (per Vyrian listing)
Latência CAS — [DATA_NEEDED: CAS latency for -XN speed grade]

Fichas técnicas e recursos

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