H5ANAG6NCR-VKC vs H5ANAG6NCMR-XNI Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5ANAG6NCR-VKC par SK hynix et H5ANAG6NCMR-XNI par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5ANAG6NCR-VKC | H5ANAG6NCMR-XNI |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,00 | $4,95 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) |
| Memory Density | 16 Gbit | — |
| Organisation de la mémoire | 2G x 8 | — |
| Interface | DDR4 (Double Data Rate 4) | Parallel (DDR4) |
| Supply Voltage VDD | 1.2 V | — |
| Supply Voltage VDDQ | 1.2 V | — |
| Débit de données | [DATA_NEEDED: verified speed grade in Mbps] | 3200 Mbps (DDR4-3200, XN speed bin) |
| Boîtier | 96-ball FBGA | FBGA-96 |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Banks | 16 banks (4 bank groups x 4) | — |
| Burst Length | BL8 | — |
| Refresh Mode | 1x / 2x / 4X per JEDEC DDR4 | — |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: temperature suffix range confirmation] | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] |
| Technology | CMOS | CMOS Double Data Rate IV Synchronous DRAM |
| Application | Main memory (PC / server / embedded) | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement] | — |
| Taille de mémoire | — | 16 Gb |
| Memory Organization | — | 1G x 16 |
| Tension d'alimentation | — | 1.2 V |
| Power Class | — | Normal Power |
| Product Status | — | Active |
| Application Domain | — | Main memory, industrial controllers, computing modules, consumer electronics |
| Memory Format | — | DRAM |
| Speed Bin Family | — | UH/VK/WM/XN |
| VPP Supply Voltage | — | [DATA_NEEDED: VPP Supply Voltage] |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |