H5ANAG6NCR-VKC vs H5ANAG6NCMR-XNI 比較

詳細な並列比較: H5ANAG6NCR-VKC メーカー: SK hynix および H5ANAG6NCMR-XNI メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

SK hynix
H5ANAG6NCR-VKC H5ANAG6NCR-VKC - 16Gb DDR4 SDRAM x8 | SK hynix | Main Memory

H5ANAG6NCR-VKC - 16Gb DDR4 SDRAM x8 | SK hynix | Main Memory

H5ANAG6NCR-VKC ✓ 生産中
SK hynix
H5ANAG6NCMR-XNI H5ANAG6NCMR-XNI - DDR4 16Gb 3200Mbps DRAM | SK Hynix

H5ANAG6NCMR-XNI - DDR4 16Gb 3200Mbps DRAM | SK Hynix

H5ANAG6NCMR-XNI ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H5ANAG6NCR-VKC H5ANAG6NCMR-XNI
ブランド SK hynix SK hynix
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.00 $4.95
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (volatile DRAM)
Memory Density 16 Gbit —
メモリ構成 2G x 8 —
インターフェース DDR4 (Double Data Rate 4) Parallel (DDR4)
Supply Voltage VDD 1.2 V —
Supply Voltage VDDQ 1.2 V —
データレート [DATA_NEEDED: verified speed grade in Mbps] 3200 Mbps (DDR4-3200, XN speed bin)
パッケージ 96-ball FBGA FBGA-96
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Banks 16 banks (4 bank groups x 4) —
Burst Length BL8 —
Refresh Mode 1x / 2x / 4X per JEDEC DDR4 —
動作温度 [DATA_NEEDED: temperature suffix range confirmation] [DATA_NEEDED: Operating Temperature]
Technology CMOS CMOS Double Data Rate IV Synchronous DRAM
Application Main memory (PC / server / embedded) —
RoHS ステータス [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement] —
メモリサイズ — 16 Gb
Memory Organization — 1G x 16
電源電圧 — 1.2 V
Power Class — Normal Power
Product Status — Active
Application Domain — Main memory, industrial controllers, computing modules, consumer electronics
Memory Format — DRAM
Speed Bin Family — UH/VK/WM/XN
VPP Supply Voltage — [DATA_NEEDED: VPP Supply Voltage]
MSLレベル — [DATA_NEEDED: MSL Level]

データシート&リソース

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