H5ANAG6NCR-VKC vs H5ANAG6NCR-PBC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5ANAG6NCR-VKC par SK hynix et H5ANAG6NCR-PBC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre H5ANAG6NCR-VKC H5ANAG6NCR-PBC
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,00 $70,20
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Density 16 Gbit —
Organisation de la mémoire 2G x 8 x16 (1G x 16)
Interface DDR4 (Double Data Rate 4) —
Supply Voltage VDD 1.2 V —
Supply Voltage VDDQ 1.2 V —
Débit de données [DATA_NEEDED: verified speed grade in Mbps] —
Boîtier 96-ball FBGA FBGA-96
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Banks 16 banks (4 bank groups x 4) —
Burst Length BL8 —
Refresh Mode 1x / 2x / 4X per JEDEC DDR4 —
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: temperature suffix range confirmation] 0C to 85C
Technology CMOS —
Application Main memory (PC / server / embedded) —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement] Compliant
Density — 16Gb (2GB)
Tension d'alimentation — 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V)
Transfer Rate — 3200 Mbps (family, per XNCR datasheet; PBC speed grade [DATA_NEEDED: exact speed grade Mbps])
Number of Terminals — 96 balls
Auto Self-Refresh — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask — Yes
Dynamic ODT — Yes
ZQ Calibration — Yes
CRC Function — Yes
Write Leveling — Yes
Maximum Standby Current — [DATA_NEEDED: maximum standby current for PBC speed grade]
Latence CAS — [DATA_NEEDED: CAS latency for PBC speed grade]

Fiches techniques et ressources

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