H5ANAG6NCR-VKC vs H5ANAG6NCR-PBC 비교

다음의 상세 나란히 비교: H5ANAG6NCR-VKC 제조: SK hynix 및 H5ANAG6NCR-PBC 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 H5ANAG6NCR-VKC H5ANAG6NCR-PBC
브랜드 SK hynix SK hynix
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.00 $70.20
메모리 유형 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Density 16 Gbit —
메모리 구성 2G x 8 x16 (1G x 16)
인터페이스 DDR4 (Double Data Rate 4) —
Supply Voltage VDD 1.2 V —
Supply Voltage VDDQ 1.2 V —
데이터 속도 [DATA_NEEDED: verified speed grade in Mbps] —
패키지 96-ball FBGA FBGA-96
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Banks 16 banks (4 bank groups x 4) —
Burst Length BL8 —
Refresh Mode 1x / 2x / 4X per JEDEC DDR4 —
동작 온도 [DATA_NEEDED: temperature suffix range confirmation] 0C to 85C
Technology CMOS —
Application Main memory (PC / server / embedded) —
RoHS 상태 [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement] Compliant
Density — 16Gb (2GB)
공급 전압 — 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V)
Transfer Rate — 3200 Mbps (family, per XNCR datasheet; PBC speed grade [DATA_NEEDED: exact speed grade Mbps])
Number of Terminals — 96 balls
Auto Self-Refresh — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask — Yes
Dynamic ODT — Yes
ZQ Calibration — Yes
CRC Function — Yes
Write Leveling — Yes
Maximum Standby Current — [DATA_NEEDED: maximum standby current for PBC speed grade]
CAS 레이턴시 — [DATA_NEEDED: CAS latency for PBC speed grade]

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