H5ANAG8NBJR-PBC vs H5AN8G8NCJR-PBC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5ANAG8NBJR-PBC par SK hynix et H5AN8G8NCJR-PBC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5ANAG8NBJR-PBC | H5AN8G8NCJR-PBC |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | DRAM | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $31,50 | $2,40 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gbit (2 GB) | — |
| Organisation de la mémoire | x8 | 1G x 8 (x8) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| Speed Grade / Data Rate | PBC suffix, DDR4-2666 class | — |
| Boîtier | FBGA-78 (7.5 mm x 11 mm) | 78-ball FBGA |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Bank Architecture | 16 banks in 4 bank groups (DDR4 standard) | — |
| Prefetch | 8n | — |
| Type d'interface | Parallel, SSTL12 | — |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| CAS Latency (typical bin) | [DATA_NEEDED: CAS latency] | — |
| Refresh | Self refresh, 1x/2x/4x refresh modes | Auto-refresh and self-refresh |
| Die Revision | BJR | — |
| Statut RoHS | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per Hynix family datasheet) | Lead-Free & Halogen-Free |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Standard Package Quantity | [DATA_NEEDED: standard quantity] | — |
| Taille de mémoire | — | 8 Gb (1 GB) |
| Interface Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V (SSTL12) |
| Débit de données | — | [DATA_NEEDED: data rate for -PBC speed grade (Mbps/MT/s)] |
| Architecture | — | CMOS, fully synchronous, dual-edge clocked |
| Bank Structure | — | 8 internal banks, bank-group architecture |
| Burst Length | — | BL8 |
| Caractéristiques | — | ODT, DM, DQS strobes, programmable CAS latency, self-refresh |
| Die Revision Family | — | CJR (H5AN8G8NCJR-xxC) |
| Typical Applications | — | PC/server main memory, embedded solder-down memory |