H5ANAG8NBJR-PBC vs H5AN8G8NCJR-PBC 비교
다음의 상세 나란히 비교: H5ANAG8NBJR-PBC 제조: SK hynix 및 H5AN8G8NCJR-PBC 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | H5ANAG8NBJR-PBC | H5AN8G8NCJR-PBC |
|---|---|---|
| 브랜드 | SK hynix | SK hynix |
| 카테고리 | DRAM | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $31.50 | $2.40 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gbit (2 GB) | — |
| 메모리 구성 | x8 | 1G x 8 (x8) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| Speed Grade / Data Rate | PBC suffix, DDR4-2666 class | — |
| 패키지 | FBGA-78 (7.5 mm x 11 mm) | 78-ball FBGA |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Bank Architecture | 16 banks in 4 bank groups (DDR4 standard) | — |
| Prefetch | 8n | — |
| 인터페이스 유형 | Parallel, SSTL12 | — |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| CAS Latency (typical bin) | [DATA_NEEDED: CAS latency] | — |
| Refresh | Self refresh, 1x/2x/4x refresh modes | Auto-refresh and self-refresh |
| Die Revision | BJR | — |
| RoHS 상태 | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per Hynix family datasheet) | Lead-Free & Halogen-Free |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Standard Package Quantity | [DATA_NEEDED: standard quantity] | — |
| 메모리 크기 | — | 8 Gb (1 GB) |
| Interface Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V (SSTL12) |
| 데이터 속도 | — | [DATA_NEEDED: data rate for -PBC speed grade (Mbps/MT/s)] |
| Architecture | — | CMOS, fully synchronous, dual-edge clocked |
| Bank Structure | — | 8 internal banks, bank-group architecture |
| Burst Length | — | BL8 |
| 특징 | — | ODT, DM, DQS strobes, programmable CAS latency, self-refresh |
| Die Revision Family | — | CJR (H5AN8G8NCJR-xxC) |
| Typical Applications | — | PC/server main memory, embedded solder-down memory |