H5ANAG8NCJR-XNC vs H5ANAG6NCJR-XN Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5ANAG8NCJR-XNC par SK hynix et H5ANAG6NCJR-XN par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5ANAG8NCJR-XNC | H5ANAG6NCJR-XN |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $65,63 | $71,20 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gbit | 16 Gbit (1G x 16) |
| Organisation de la mémoire | 2G x 8 | 1G x 16 |
| Débit de données | 3200 MT/s (DDR4-3200) | 3200 Mbps/pin (DDR4-3200) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.14 V to 1.26 V |
| Boîtier | FBGA-78 (7.5 x 11 mm) | FBGA-96 (96-ball) |
| Température de fonctionnement | 0C to +95C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Process Node | 1z nm (non-EUV) | — |
| Die Bit Density | 0.296 Gb/mm2 | — |
| Peak Bandwidth (per 64-bit channel) | 25.6 GB/s at DDR4-3200 | — |
| CAS Latency (CL) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh specification] | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Base Part Number Family | H5ANAG8NCJR (16Gb DDR4 CMOS SDRAM) | — |
| Speed Grade Suffix | -XNC (0~95C commercial) | — |
| Package Width | — | 8 mm |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask (DM) | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC (Command/Address) | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Maximum Standby Current | — | 0.074 A (per Vyrian listing) |
| Latence CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency for -XN speed grade] |