H5ANAG8NCMR-VKC vs H5ANAG6NAMR-UHC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5ANAG8NCMR-VKC par SK hynix et H5ANAG6NAMR-UHC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre H5ANAG8NCMR-VKC H5ANAG6NAMR-UHC
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $8,05 $4,50
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Taille de mémoire 16 Gb —
Memory Organization 2G x 8 —
Débit de données 2666 Mbps/pin (DDR4-2666) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V 1.2 V
I/O Voltage (VDDQ) 1.2 V —
Boîtier FBGA-78 FBGA-96 (PBGA96)
Type de montage Surface Mount Surface Mount (BGA solder ball)
Speed Grade VK (per SK hynix speed-bin suffix) —
Power Class Normal Power Normal Power
Bank Groups 4 —
Banks Total 16 —
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Latence CAS [DATA_NEEDED: CAS latency for VK speed bin] [DATA_NEEDED: CL for UHC bin]
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Packaging [DATA_NEEDED: standard packing quantity] —
Manufacturer Process CMOS DRAM —
Memory Density — 16 Gbit (2 GB)
Organisation de la mémoire — 1G x 16
Speed Grade / Data Rate — DDR4-2400 (UHC bin, PC4-19200)
Architecture — CMOS DDR4 with bank groups
Refresh — Self-refresh and auto-refresh (DDR4 standard 64 ms)
Type d'interface — Parallel, synchronous, double data rate
Available Speed Bins (family) — PB / RD / TF / UH / VK
Application Class — Main memory, embedded, industrial
Statut du cycle de vie — Active production

Fiches techniques et ressources

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