H5ANAG8NCMR-VKC vs H5ANAG6NAMR-UHC Comparação

Comparação detalhada lado a lado de H5ANAG8NCMR-VKC por SK hynix e H5ANAG6NAMR-UHC por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro H5ANAG8NCMR-VKC H5ANAG6NAMR-UHC
Marca SK hynix SK hynix
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $8,05 $4,50
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Tamanho da memória 16 Gb —
Memory Organization 2G x 8 —
Taxa de dados 2666 Mbps/pin (DDR4-2666) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V 1.2 V
I/O Voltage (VDDQ) 1.2 V —
Encapsulamento FBGA-78 FBGA-96 (PBGA96)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount (BGA solder ball)
Speed Grade VK (per SK hynix speed-bin suffix) —
Power Class Normal Power Normal Power
Bank Groups 4 —
Banks Total 16 —
Temperatura de operação [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Latência CAS [DATA_NEEDED: CAS latency for VK speed bin] [DATA_NEEDED: CL for UHC bin]
Status RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Packaging [DATA_NEEDED: standard packing quantity] —
Manufacturer Process CMOS DRAM —
Memory Density — 16 Gbit (2 GB)
Organização da memória — 1G x 16
Speed Grade / Data Rate — DDR4-2400 (UHC bin, PC4-19200)
Architecture — CMOS DDR4 with bank groups
Refresh — Self-refresh and auto-refresh (DDR4 standard 64 ms)
Tipo de interface — Parallel, synchronous, double data rate
Available Speed Bins (family) — PB / RD / TF / UH / VK
Application Class — Main memory, embedded, industrial
Status do ciclo de vida — Active production

Fichas técnicas e recursos

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