H5ANAG8NCMR-VKC vs H5ANAG6NAMR-UHC Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5ANAG8NCMR-VKC von SK hynix und H5ANAG6NAMR-UHC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter H5ANAG8NCMR-VKC H5ANAG6NAMR-UHC
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $8,05 $4,50
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Speichergröße 16 Gb —
Memory Organization 2G x 8 —
Datenrate 2666 Mbps/pin (DDR4-2666) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V 1.2 V
I/O Voltage (VDDQ) 1.2 V —
Gehäuse FBGA-78 FBGA-96 (PBGA96)
Montageart Surface Mount Surface Mount (BGA solder ball)
Speed Grade VK (per SK hynix speed-bin suffix) —
Power Class Normal Power Normal Power
Bank Groups 4 —
Banks Total 16 —
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
CAS-Latenz [DATA_NEEDED: CAS latency for VK speed bin] [DATA_NEEDED: CL for UHC bin]
RoHS-Status [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Packaging [DATA_NEEDED: standard packing quantity] —
Manufacturer Process CMOS DRAM —
Memory Density — 16 Gbit (2 GB)
Speicherorganisation — 1G x 16
Speed Grade / Data Rate — DDR4-2400 (UHC bin, PC4-19200)
Architecture — CMOS DDR4 with bank groups
Refresh — Self-refresh and auto-refresh (DDR4 standard 64 ms)
Schnittstellentyp — Parallel, synchronous, double data rate
Available Speed Bins (family) — PB / RD / TF / UH / VK
Application Class — Main memory, embedded, industrial
Lebenszyklusstatus — Active production

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