H5ANAG8NCR-UHC vs H5ANAG8NCJR-XNC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5ANAG8NCR-UHC par SK hynix et H5ANAG8NCJR-XNC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

SK hynix
H5ANAG8NCJR-XNC H5ANAG8NCJR-XNC - 16Gb DDR4-3200 SDRAM 2Gx8 | SK Hynix

H5ANAG8NCJR-XNC - 16Gb DDR4-3200 SDRAM 2Gx8 | SK Hynix

H5ANAG8NCJR-XNC ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre H5ANAG8NCR-UHC H5ANAG8NCJR-XNC
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $3,05 $65,63
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gb 16 Gbit
Organisation de la mémoire 2G x 8 2G x 8
Interface DDR4 (JEDEC-compatible) —
Speed Grade UHC —
Boîtier FBGA-78 FBGA-78 (7.5 x 11 mm)
Type de montage Surface Mount (BGA) Surface Mount
RoHS Code Yes —
REACH Compliance Compliant —
Part Life Cycle Code Active —
Manufacturer SK hynix Inc. —
Débit de données [DATA_NEEDED: data rate MT/s] 3200 MT/s (DDR4-3200)
Latence CAS [DATA_NEEDED: CL] —
VDD Supply Voltage [DATA_NEEDED: VDD value] —
VPP Supply Voltage [DATA_NEEDED: VPP value] —
Plage de température de fonctionnement [DATA_NEEDED: temperature range] —
Bank Groups [DATA_NEEDED: bank group count] —
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Température de fonctionnement — 0C to +95C
Process Node — 1z nm (non-EUV)
Die Bit Density — 0.296 Gb/mm2
Peak Bandwidth (per 64-bit channel) — 25.6 GB/s at DDR4-3200
CAS Latency (CL) — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Refresh — [DATA_NEEDED: refresh specification]
Statut RoHS — Compliant
Base Part Number Family — H5ANAG8NCJR (16Gb DDR4 CMOS SDRAM)
Speed Grade Suffix — -XNC (0~95C commercial)

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis