H5ANAG8NCR-UHC vs H5ANAG8NCJR-XNC Comparação

Comparação detalhada lado a lado de H5ANAG8NCR-UHC por SK hynix e H5ANAG8NCJR-XNC por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

SK hynix
H5ANAG8NCJR-XNC H5ANAG8NCJR-XNC - 16Gb DDR4-3200 SDRAM 2Gx8 | SK Hynix

H5ANAG8NCJR-XNC - 16Gb DDR4-3200 SDRAM 2Gx8 | SK Hynix

H5ANAG8NCJR-XNC ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro H5ANAG8NCR-UHC H5ANAG8NCJR-XNC
Marca SK hynix SK hynix
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $3,05 $65,63
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gb 16 Gbit
Organização da memória 2G x 8 2G x 8
Interface DDR4 (JEDEC-compatible) —
Speed Grade UHC —
Encapsulamento FBGA-78 FBGA-78 (7.5 x 11 mm)
Tipo de montagem Surface Mount (BGA) Surface Mount
RoHS Code Yes —
REACH Compliance Compliant —
Part Life Cycle Code Active —
Manufacturer SK hynix Inc. —
Taxa de dados [DATA_NEEDED: data rate MT/s] 3200 MT/s (DDR4-3200)
Latência CAS [DATA_NEEDED: CL] —
VDD Supply Voltage [DATA_NEEDED: VDD value] —
VPP Supply Voltage [DATA_NEEDED: VPP value] —
Faixa de temperatura de operação [DATA_NEEDED: temperature range] —
Bank Groups [DATA_NEEDED: bank group count] —
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Temperatura de operação — 0C to +95C
Process Node — 1z nm (non-EUV)
Die Bit Density — 0.296 Gb/mm2
Peak Bandwidth (per 64-bit channel) — 25.6 GB/s at DDR4-3200
CAS Latency (CL) — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Refresh — [DATA_NEEDED: refresh specification]
Status RoHS — Compliant
Base Part Number Family — H5ANAG8NCJR (16Gb DDR4 CMOS SDRAM)
Speed Grade Suffix — -XNC (0~95C commercial)

Fichas técnicas e recursos

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