H5TC4G63AFR-PBA vs K4B4G1646E-BMK0 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5TC4G63AFR-PBA par SK hynix et K4B4G1646E-BMK0 par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5TC4G63AFR-PBA | K4B4G1646E-BMK0 |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $3,98 | $6,50 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | 4 Gb |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.35V | — |
| Débit de données | 1866 Mbps (PC3L-14900) | 1600 Mbps |
| Boîtier | 96-ball FBGA | 96-FBGA |
| Ball Pitch | 0.8mm | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| Burst Length | 8 and 4 (with burst chop) | — |
| CAS Latency (CL) | 11, 12, 13 | — |
| Plage de température de fonctionnement | 0°C to +95°C (Tcase) | — |
| Interface | 16-bit I/O | Parallel |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| Write Leveling | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Partial Array Self-Refresh | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Speed Grade | — | 1600 Mbps |
| Voltage | — | 1.35 V |
| Température de fonctionnement | — | -40°C to +95°C |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| Type de montage | — | Surface Mount |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Dynamic ODT | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |