H5TC4G63AFR-PBA vs K4B4G1646E-BYMATCV Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5TC4G63AFR-PBA par SK hynix et K4B4G1646E-BYMATCV par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMATCV - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | Samsung
K4B4G1646E-BYMATCV ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | H5TC4G63AFR-PBA | K4B4G1646E-BYMATCV |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $3,98 | $5,90 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | — |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.35V | — |
| Débit de données | 1866 Mbps (PC3L-14900) | 1866 Mbps |
| Boîtier | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA |
| Ball Pitch | 0.8mm | — |
| Number of Banks | 8 | 8 |
| Burst Length | 8 and 4 (with burst chop) | 8 (with burst chop 4) |
| CAS Latency (CL) | 11, 12, 13 | — |
| Plage de température de fonctionnement | 0°C to +95°C (Tcase) | -40°C to +95°C |
| Interface | 16-bit I/O | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | Yes |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Partial Array Self-Refresh | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Taille de mémoire | — | 4 Gbit (256M x 16) |
| Tension d'alimentation | — | 1.35 V |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.35 V |
| Nombre de broches | — | 96 |
| Latence CAS | — | Programmable (e.g., 13, 12, 11) |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| Statut RoHS | — | Compliant |