H5TC4G63AFR-PBA vs K4B4G1646E-BYMATCV 比較
詳細な並列比較: H5TC4G63AFR-PBA メーカー: SK hynix および K4B4G1646E-BYMATCV メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | H5TC4G63AFR-PBA | K4B4G1646E-BYMATCV |
|---|---|---|
| ブランド | SK hynix | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $3.98 | $5.90 |
| メモリタイプ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | — |
| メモリ構成 | 256M x 16 | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.35V | — |
| データレート | 1866 Mbps (PC3L-14900) | 1866 Mbps |
| パッケージ | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA |
| Ball Pitch | 0.8mm | — |
| Number of Banks | 8 | 8 |
| Burst Length | 8 and 4 (with burst chop) | 8 (with burst chop 4) |
| CAS Latency (CL) | 11, 12, 13 | — |
| 動作温度範囲 | 0°C to +95°C (Tcase) | -40°C to +95°C |
| インターフェース | 16-bit I/O | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | Yes |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Partial Array Self-Refresh | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| メモリサイズ | — | 4 Gbit (256M x 16) |
| 電源電圧 | — | 1.35 V |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.35 V |
| ピン数 | — | 96 |
| CASレイテンシ | — | Programmable (e.g., 13, 12, 11) |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| RoHS ステータス | — | Compliant |