H5TC4G63CFR-H9J vs H5TC4G63CFR-XXJ Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5TC4G63CFR-H9J par SK hynix et H5TC4G63CFR-xxJ par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

SK hynix
H5TC4G63CFR-xxJ H5TC4G63CFR-xxJ - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63CFR-xxJ - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63CFR-xxJ ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre H5TC4G63CFR-H9J H5TC4G63CFR-xxJ
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $6,00 $5,90
Type de mémoire DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb 4 Gb
Organisation de la mémoire 256M x 16 256M x 16
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.35V +0.100/-0.067V 1.35V + 0.100 / - 0.067V
Speed Grade -H9 (1866 Mbps / PC3-14900) [DATA_NEEDED: speed grade for -xxJ suffix]
Boîtier 96-ball TFBGA 96-ball FBGA
Number of Terminals 96 —
Temperature Grade Industrial —
Lead-Free Yes Yes
Sans halogène Yes Yes
RoHS Compliant Yes —
Clock Input Fully differential (CK, CK) Fully differential (CK, CK#)
Data Strobe Differential (DQS, DQS) Differential (DQS, DQS#)
On-Chip DLL Yes Yes
Data Mask (DM) Yes —
DM Mask — Yes
Plage de température de fonctionnement — 0°C to 95°C (case)
RoHS — Compliant
Latence CAS — [DATA_NEEDED: CAS latency options]
Burst Length — 8 and 4 (with burst chop)
On-Die Termination — Yes
Refresh — Auto-refresh and self-refresh

Fiches techniques et ressources

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