H5TC4G63CFR-PBL vs H5TC4G63CFR-PBA Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5TC4G63CFR-PBL par SK hynix et H5TC4G63CFR-PBA par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5TC4G63CFR-PBL | H5TC4G63CFR-PBA |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $6,50 | $6,23 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Taille de mémoire | 4 Gb (256M x 16) | — |
| Tension d'alimentation | 1.35 V | — |
| Débit de données | 1600 Mbps (PC3L-12800) | — |
| Boîtier | 96-ball FBGA (TFBGA) | 96-ball FBGA (PBGA96) |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Package Shape | RECTANGULAR | — |
| Terminal Form | BALL | — |
| Burst Length | 8 | — |
| Latence CAS | 11, 12, 13 | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| Refresh Period | 7.8 us at 85C | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Sans halogène | Yes | Yes |
| Density | — | 4Gb |
| Organisation de la mémoire | — | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.35V +0.100/-0.067V |
| Clock Input | — | Fully differential (CK, CK) |
| Data Strobe | — | Differential (DQS, DQS) |
| On-chip DLL | — | Yes |
| Data Mask (DM) | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Dynamic ODT | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |