H5TC4G63CFR-PBL vs H5TC4G63CFR-PBA Comparação
Comparação detalhada lado a lado de H5TC4G63CFR-PBL por SK hynix e H5TC4G63CFR-PBA por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | H5TC4G63CFR-PBL | H5TC4G63CFR-PBA |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | SK hynix |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $6,50 | $6,23 |
| Tipo de memória | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Tamanho da memória | 4 Gb (256M x 16) | — |
| Tensão de alimentação | 1.35 V | — |
| Taxa de dados | 1600 Mbps (PC3L-12800) | — |
| Encapsulamento | 96-ball FBGA (TFBGA) | 96-ball FBGA (PBGA96) |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Package Shape | RECTANGULAR | — |
| Terminal Form | BALL | — |
| Burst Length | 8 | — |
| Latência CAS | 11, 12, 13 | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| Refresh Period | 7.8 us at 85C | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Livre de halogênio | Yes | Yes |
| Density | — | 4Gb |
| Organização da memória | — | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.35V +0.100/-0.067V |
| Clock Input | — | Fully differential (CK, CK) |
| Data Strobe | — | Differential (DQS, DQS) |
| On-chip DLL | — | Yes |
| Data Mask (DM) | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Dynamic ODT | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |