H5TC4G63CFR-XXJ vs H5TC4G63CFR-H9J Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5TC4G63CFR-xxJ par SK hynix et H5TC4G63CFR-H9J par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

SK hynix
H5TC4G63CFR-xxJ H5TC4G63CFR-xxJ - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63CFR-xxJ - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63CFR-xxJ ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre H5TC4G63CFR-xxJ H5TC4G63CFR-H9J
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $5,90 $6,00
Type de mémoire DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gb 4Gb
Organisation de la mémoire 256M x 16 256M x 16
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.35V + 0.100 / - 0.067V 1.35V +0.100/-0.067V
Clock Input Fully differential (CK, CK#) Fully differential (CK, CK)
Data Strobe Differential (DQS, DQS#) Differential (DQS, DQS)
On-Chip DLL Yes Yes
DM Mask Yes —
Boîtier 96-ball FBGA 96-ball TFBGA
Plage de température de fonctionnement 0°C to 95°C (case) —
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes Yes
Sans halogène Yes Yes
Speed Grade [DATA_NEEDED: speed grade for -xxJ suffix] -H9 (1866 Mbps / PC3-14900)
Latence CAS [DATA_NEEDED: CAS latency options] —
Burst Length 8 and 4 (with burst chop) —
On-Die Termination Yes —
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
Number of Terminals — 96
Temperature Grade — Industrial
RoHS Compliant — Yes
Data Mask (DM) — Yes

Fiches techniques et ressources

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