H5TC4G63MFR-PBA vs K4B4G1646E-BYK0 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5TC4G63MFR-PBA par SK hynix et K4B4G1646E-BYK0 par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5TC4G63MFR-PBA | K4B4G1646E-BYK0 |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $6,50 | $1,80 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.35V (+0.100V/-0.067V) | — |
| Débit de données | 1866 Mbps (PC3L-14900) | DDR3-1600 (800 MHz) |
| Boîtier | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| Number of Banks | 8 | — |
| Burst Length | BL8, BL4 (with burst chop) | 8 (fixed), 4 (burst chop) |
| CAS Latency (CL) | Programmable | — |
| CAS Write Latency (CWL) | Programmable | — |
| Additive Latency | Programmable | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| Write Leveling | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Temperature-Compensated Self-Refresh | Yes | — |
| Process Technology | 30nm-class | — |
| RoHS Compliant | Yes (Lead-Free & Halogen-Free) | — |
| Tension d'alimentation | — | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| Température de fonctionnement | — | 0°C to +95°C (TC) |
| Latence CAS | — | 11 (CL-tRCD-tRP) |
| On-Die Termination | — | Yes (dynamic ODT) |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |