IAUA180N04S5N012AUMA1 vs IAUCN04S7N027GATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IAUA180N04S5N012AUMA1 par Infineon et IAUCN04S7N027GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IAUA180N04S5N012AUMA1 IAUA180N04S5N012AUMA1 - 40V 180A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IAUA180N04S5N012AUMA1 - 40V 180A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IAUA180N04S5N012AUMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IAUA180N04S5N012AUMA1 IAUCN04S7N027GATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,96 $0,72
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IAUA180N04S5N012AUMA1 —
Series OptiMOS-5 40 V —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) 180 A (Tc) —
Maximum Power Dissipation (PD) 125 W (Tc) —
R_DS(on) (max) 1.2 mΩ at 10 V VGS —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Boîtier PG-HSOF-5-2 (sTOLL, MO-319A / HSOF-5), 7x8 mm² —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +175 °C (Tj) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Technology OptiMOS-5 Trench —
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Statut RoHS Compliant Compliant
Product Family — OptiMOS 7
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (Vds max) — 40 V
Continuous Drain Current (Id) — 117 A
On-Resistance (Rds(on) max) — 2.67 mOhm
Power Dissipation (Pd) — 70 W (Tc)
Boîtier / Format — PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6)
Qualification — Automotive
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th)]
Gate-Source Voltage Max (Vgs) — [DATA_NEEDED: Vgs max]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg]
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: MSL]
Substrate Compatibility — IMS substrates and legacy FR-4

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