IAUA180N04S5N012AUMA1 vs IAUCN04S7N027GATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IAUA180N04S5N012AUMA1 por Infineon e IAUCN04S7N027GATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IAUA180N04S5N012AUMA1 IAUA180N04S5N012AUMA1 - 40V 180A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IAUA180N04S5N012AUMA1 - 40V 180A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IAUA180N04S5N012AUMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IAUA180N04S5N012AUMA1 IAUCN04S7N027GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,96 $0,72
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IAUA180N04S5N012AUMA1 —
Series OptiMOS-5 40 V —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) 180 A (Tc) —
Maximum Power Dissipation (PD) 125 W (Tc) —
R_DS(on) (max) 1.2 mΩ at 10 V VGS —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Encapsulamento PG-HSOF-5-2 (sTOLL, MO-319A / HSOF-5), 7x8 mm² —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55 °C to +175 °C (Tj) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Technology OptiMOS-5 Trench —
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Status RoHS Compliant Compliant
Product Family — OptiMOS 7
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (Vds max) — 40 V
Continuous Drain Current (Id) — 117 A
On-Resistance (Rds(on) max) — 2.67 mOhm
Power Dissipation (Pd) — 70 W (Tc)
Encapsulamento / Caixa — PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6)
Qualification — Automotive
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th)]
Gate-Source Voltage Max (Vgs) — [DATA_NEEDED: Vgs max]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg]
Nível MSL — [DATA_NEEDED: MSL]
Substrate Compatibility — IMS substrates and legacy FR-4

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação