IAUC100N04S6L014ATMA1 vs IAUC28N08S5L230ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUC100N04S6L014ATMA1 par Infineon et IAUC28N08S5L230ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUC100N04S6L014ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon
IAUC100N04S6L014ATMA1 ✓ ActifInfineon
IAUC28N08S5L230ATMA1 - 80V 28A 23mΩ OptiMOS-5 N-Channel MOSFET | Infineon
IAUC28N08S5L230ATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IAUC100N04S6L014ATMA1 | IAUC28N08S5L230ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,72 | $0,71 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | IAUC / OptiMOS 6 40V | — |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Mode | Enhancement | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| R_DS(on) max (V_GS=10V) | 1.4 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | [DATA_NEEDED: V_GS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] | — |
| Total Gate Charge (Q_G) | [DATA_NEEDED: Q_G typical] | — |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | 100 W | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +175C | — |
| Boîtier | PG-TDSON-8 (SuperSO8, 5x6 mm) | PG-TDSON-8-33 (5x6 mm SSO8) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| AEC-Q101 Qualification | Yes | — |
| Technology | OptiMOS 6 | OptiMOS-5 Power MOSFET |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Niveau MSL | 1 | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Packaging | Tape & Reel (ATMA1 suffix) | — |
| Series | — | OptiMOS-5 |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>) | — | 28 A |
| Pulsed Drain Current (I<sub>DM</sub>) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance (R<sub>DS(on)</sub>, V<sub>GS</sub>=10 V) | — | 23 mΩ (typ) |
| Gate-Source Threshold (V<sub>GS(th)</sub>, typ) | — | 2.5 V |
| Gate Charge (Q<sub>g</sub>, typ) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>) | — | 38 W |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55 °C to +175 °C |
| Automotive Qualified | — | Yes (AEC-Q101) |