IAUC100N04S6L014ATMA1 vs IAUC60N04S6N031HATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUC100N04S6L014ATMA1 par Infineon et IAUC60N04S6N031HATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUC100N04S6L014ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon
IAUC100N04S6L014ATMA1 ✓ ActifInfineon
IAUC60N04S6N031HATMA1 - 40V 60A Half-Bridge MOSFET | Infineon
IAUC60N04S6N031HATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IAUC100N04S6L014ATMA1 | IAUC60N04S6N031HATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,72 | $0,95 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | IAUC / OptiMOS 6 40V | IAUC (Integrated Automotive Half-Bridge) |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Mode | Enhancement | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 40 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| R_DS(on) max (V_GS=10V) | 1.4 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | [DATA_NEEDED: V_GS max rating] | [DATA_NEEDED: V_GS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] | — |
| Total Gate Charge (Q_G) | [DATA_NEEDED: Q_G typical] | — |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | 100 W | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +175C | -55 °C to +175 °C (Tj) |
| Boîtier | PG-TDSON-8 (SuperSO8, 5x6 mm) | PG-TDSON-8-56 (5 mm x 6 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| AEC-Q101 Qualification | Yes | — |
| Technology | OptiMOS 6 | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Niveau MSL | 1 | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Packaging | Tape & Reel (ATMA1 suffix) | — |
| Process Technology | — | OptiMOS 6 40V |
| Configuration | — | Half-Bridge (2 N-Channel MOSFETs) |
| Continuous Drain Current (I_D, Tj) | — | 60 A |
| Power Dissipation (P_D, Tc=25C) | — | 75 W |
| R_DS(on) at VGS=10V | — | 3.1 mΩ |
| Nombre de broches | — | 8 |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 |