IAUC100N04S6L014ATMA1 vs IAUC60N04S6N031HATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IAUC100N04S6L014ATMA1 por Infineon e IAUC60N04S6N031HATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Infineon
IAUC100N04S6L014ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon
IAUC100N04S6L014ATMA1 ✓ AtivoInfineon
IAUC60N04S6N031HATMA1 - 40V 60A Half-Bridge MOSFET | Infineon
IAUC60N04S6N031HATMA1 ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | IAUC100N04S6L014ATMA1 | IAUC60N04S6N031HATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,72 | $0,95 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | IAUC / OptiMOS 6 40V | IAUC (Integrated Automotive Half-Bridge) |
| Tipo de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Mode | Enhancement | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 40 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| R_DS(on) max (V_GS=10V) | 1.4 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | [DATA_NEEDED: V_GS max rating] | [DATA_NEEDED: V_GS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] | — |
| Total Gate Charge (Q_G) | [DATA_NEEDED: Q_G typical] | — |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | 100 W | — |
| Faixa de temperatura de operação | -55C to +175C | -55 °C to +175 °C (Tj) |
| Encapsulamento | PG-TDSON-8 (SuperSO8, 5x6 mm) | PG-TDSON-8-56 (5 mm x 6 mm) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| AEC-Q101 Qualification | Yes | — |
| Technology | OptiMOS 6 | — |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Nível MSL | 1 | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Packaging | Tape & Reel (ATMA1 suffix) | — |
| Process Technology | — | OptiMOS 6 40V |
| Configuration | — | Half-Bridge (2 N-Channel MOSFETs) |
| Continuous Drain Current (I_D, Tj) | — | 60 A |
| Power Dissipation (P_D, Tc=25C) | — | 75 W |
| R_DS(on) at VGS=10V | — | 3.1 mΩ |
| Contagem de pinos | — | 8 |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 |