IAUC100N04S6L014ATMA1 vs IAUC60N04S6N031HATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: IAUC100N04S6L014ATMA1 제조: Infineon 및 IAUC60N04S6N031HATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IAUC100N04S6L014ATMA1 | IAUC60N04S6N031HATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.72 | $0.95 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | IAUC / OptiMOS 6 40V | IAUC (Integrated Automotive Half-Bridge) |
| 트랜지스터 유형 | N-Channel MOSFET | — |
| Mode | Enhancement | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 40 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| R_DS(on) max (V_GS=10V) | 1.4 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | [DATA_NEEDED: V_GS max rating] | [DATA_NEEDED: V_GS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] | — |
| Total Gate Charge (Q_G) | [DATA_NEEDED: Q_G typical] | — |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | 100 W | — |
| 동작 온도 범위 | -55C to +175C | -55 °C to +175 °C (Tj) |
| 패키지 | PG-TDSON-8 (SuperSO8, 5x6 mm) | PG-TDSON-8-56 (5 mm x 6 mm) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| AEC-Q101 Qualification | Yes | — |
| Technology | OptiMOS 6 | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| MSL 레벨 | 1 | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Packaging | Tape & Reel (ATMA1 suffix) | — |
| Process Technology | — | OptiMOS 6 40V |
| Configuration | — | Half-Bridge (2 N-Channel MOSFETs) |
| Continuous Drain Current (I_D, Tj) | — | 60 A |
| Power Dissipation (P_D, Tc=25C) | — | 75 W |
| R_DS(on) at VGS=10V | — | 3.1 mΩ |
| 핀 수 | — | 8 |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 |