IAUC100N04S6N015ATMA1 vs IPLU300N04S41R1XTMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUC100N04S6N015ATMA1 par Infineon et IPLU300N04S41R1XTMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IPLU300N04S41R1XTMA1 - 40V 300A 1.15mΩ Automotive MOSFET | Infineon
IPLU300N04S41R1XTMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IAUC100N04S6N015ATMA1 | IPLU300N04S41R1XTMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,78 | $3,45 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS-6 40V | — |
| Technology | N-Channel Trench MOSFET | OptiMOS (Trench MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D @ T_C=25C) | 100 A | — |
| Power Dissipation (P_D @ T_C=25C) | 100 W | — |
| R_DS(on) max @ V_GS=10V | 1.5 mΩ (typical, per Infineon product page) | — |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | ±20 V | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 C to +175 C (junction, typical) | — |
| Boîtier | PG-TDSON-8 (SSO8) 5x6 mm | PG-HSOF-8-1 (8-PowerSFN, surface mount) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Niveau MSL | 1 (unlimited floor life) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| RoHS Compliance | Compliant | Yes (Green Product) |
| Lead-Free | Yes | Yes (100% lead-free) |
| Part Number | — | IPLU300N04S41R1XTMA1 |
| FET Type | — | N-Channel, Enhancement Mode |
| Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) | — | 300 A |
| Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) | — | 300 W |
| R<sub>DS(on)</sub> Max (V<sub>GS</sub>=10 V, I<sub>D</sub>=100 A) | — | 1.15 mΩ |
| Gate Charge (Q<sub>g</sub>, V<sub>GS</sub>=10 V) | — | 151 nC |
| Input Capacitance (C<sub>iss</sub>, V<sub>DS</sub>=25 V) | — | 12,090 pF |
| Gate-Source Voltage (V<sub>GS</sub>) | — | ±20 V |
| Température de jonction en fonctionnement | — | 175 °C |
| Peak Reflow Temperature (AEC-Q) | — | 260 °C |
| Avalanche Rating | — | 100% Avalanche Tested |
| Configuration | — | Single with built-in diode |
| Packing | — | Tape & Reel (TR) |