IAUC100N04S6N015ATMA1 vs IPLU300N04S41R1XTMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IAUC100N04S6N015ATMA1 제조: Infineon 및 IPLU300N04S41R1XTMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
IAUC100N04S6N015ATMA1 IAUC100N04S6N015ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6N015ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6N015ATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IAUC100N04S6N015ATMA1 IPLU300N04S41R1XTMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.78 $3.45
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS-6 40V —
Technology N-Channel Trench MOSFET OptiMOS (Trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D @ T_C=25C) 100 A —
Power Dissipation (P_D @ T_C=25C) 100 W —
R_DS(on) max @ V_GS=10V 1.5 mΩ (typical, per Infineon product page) —
Gate-Source Voltage (V_GS) max ±20 V —
동작 온도 범위 -55 C to +175 C (junction, typical) —
패키지 PG-TDSON-8 (SSO8) 5x6 mm PG-HSOF-8-1 (8-PowerSFN, surface mount)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
MSL 레벨 1 (unlimited floor life) —
Automotive Qualification AEC-Q101 —
RoHS Compliance Compliant Yes (Green Product)
Lead-Free Yes Yes (100% lead-free)
Part Number — IPLU300N04S41R1XTMA1
FET Type — N-Channel, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 40 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) — 300 A
Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) — 300 W
R<sub>DS(on)</sub> Max (V<sub>GS</sub>=10 V, I<sub>D</sub>=100 A) — 1.15 mΩ
Gate Charge (Q<sub>g</sub>, V<sub>GS</sub>=10 V) — 151 nC
Input Capacitance (C<sub>iss</sub>, V<sub>DS</sub>=25 V) — 12,090 pF
Gate-Source Voltage (V<sub>GS</sub>) — ±20 V
동작 접합 온도 — 175 °C
Peak Reflow Temperature (AEC-Q) — 260 °C
Avalanche Rating — 100% Avalanche Tested
Configuration — Single with built-in diode
Packing — Tape & Reel (TR)

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