IAUC100N08S5N043ATMA1 vs BSC040N08NS5ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUC100N08S5N043ATMA1 par Infineon et BSC040N08NS5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUC100N08S5N043ATMA1 - 80V 100A 4.3mΩ N-Ch MOSFET | Infineon
IAUC100N08S5N043ATMA1 ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IAUC100N08S5N043ATMA1 | BSC040N08NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,72 | $1,15 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Series | IAUC / OptiMOS 5 | — |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET (Enhancement Mode) | — |
| Maximum Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) | 100 A (package limited) | — |
| Continuous Drain Current (chip-limited) | 120 A at T<sub>C</sub>=25°C, R<sub>thJC</sub>=1.2 K/W | — |
| Maximum R<sub>DS(on)</sub> | 4.3 mΩ | — |
| Maximum Power Dissipation (P<sub>D</sub>) | 125 W (T<sub>C</sub>) | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55°C to +175°C | — |
| Boîtier | PG-TDSON-8-34 (SuperSO8) | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Nombre de broches | 8 | — |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | MSL1 (up to 260°C peak reflow) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| Avalanche Rating | 100% Avalanche Tested | — |
| RoHS / REACH | RoHS Compliant (Green Product) | — |
| Technology | OptiMOS 5 (Trench) | OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| Part Number | — | BSC040N08NS5ATMA1 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | 100 A |
| Maximum Drain Current (ID, Tc=25C, package-limited) | — | 121 A |
| On-Resistance (RDS(on) max, VGS=10V) | — | 4 mOhm |
| Power Dissipation (Ta=25C, 1in² PCB) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc=25C) | — | 104 W |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55 C to +175 C |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| Statut RoHS | — | Compliant |
| Niveau MSL | — | 1 |
| Primary Application | — | Synchronous rectification in telecom and server power supplies |