IAUC100N08S5N043ATMA1 vs BSC040N08NS5ATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IAUC100N08S5N043ATMA1 por Infineon e BSC040N08NS5ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Infineon
IAUC100N08S5N043ATMA1 - 80V 100A 4.3mΩ N-Ch MOSFET | Infineon
IAUC100N08S5N043ATMA1 ✓ Ativo
Comparação de especificações
| Parâmetro | IAUC100N08S5N043ATMA1 | BSC040N08NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $1,72 | $1,15 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Series | IAUC / OptiMOS 5 | — |
| Tipo de transistor | N-Channel MOSFET (Enhancement Mode) | — |
| Maximum Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) | 100 A (package limited) | — |
| Continuous Drain Current (chip-limited) | 120 A at T<sub>C</sub>=25°C, R<sub>thJC</sub>=1.2 K/W | — |
| Maximum R<sub>DS(on)</sub> | 4.3 mΩ | — |
| Maximum Power Dissipation (P<sub>D</sub>) | 125 W (T<sub>C</sub>) | — |
| Faixa de temperatura de operação | -55°C to +175°C | — |
| Encapsulamento | PG-TDSON-8-34 (SuperSO8) | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Contagem de pinos | 8 | — |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | MSL1 (up to 260°C peak reflow) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| Avalanche Rating | 100% Avalanche Tested | — |
| RoHS / REACH | RoHS Compliant (Green Product) | — |
| Technology | OptiMOS 5 (Trench) | OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| Part Number | — | BSC040N08NS5ATMA1 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | 100 A |
| Maximum Drain Current (ID, Tc=25C, package-limited) | — | 121 A |
| On-Resistance (RDS(on) max, VGS=10V) | — | 4 mOhm |
| Power Dissipation (Ta=25C, 1in² PCB) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc=25C) | — | 104 W |
| Temperatura de junção de operação | — | -55 C to +175 C |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| Status RoHS | — | Compliant |
| Nível MSL | — | 1 |
| Primary Application | — | Synchronous rectification in telecom and server power supplies |