IAUC120N04S6L012ATMA1 vs IAUZN04S7L030ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUC120N04S6L012ATMA1 par Infineon et IAUZN04S7L030ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUC120N04S6L012ATMA1 - 40V 120A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon
IAUC120N04S6L012ATMA1 ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IAUC120N04S6L012ATMA1 | IAUZN04S7L030ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,21 | $0,36 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Family | OptiMOS 6 40V | — |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 120 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 480 A | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) at 10V VGS | 1.2 mΩ (typ) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg at 20V VGS] | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| Power Dissipation (PD) at TC | 115 W | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 °C to +175 °C (junction) | — |
| Boîtier | PG-TDSON-8 (TDSON-8, surface mount with exposed pad) | PG-TSDSON-8-44 (S3O8) 3x3 mm² |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 (Automotive OptiMOS) |
| Niveau MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Delivery Form | Tape & Reel | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | — | 60 A |
| Pulsed Drain Current (IDM, Tj) | — | 100 A |
| On-State Resistance (RDS(on), VGS=10V max) | — | 3.05 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | — | 58 W |
| Operating Junction Temperature (Tj) | — | -55C to +175C |
| Technology Family | — | OptiMOS-7 |
| Channel Type | — | N-Channel |
| RoHS Compliance | — | Compliant |