IAUC120N04S6N010ATMA1 vs IAUA220N08S5N021AUMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IAUC120N04S6N010ATMA1 par Infineon et IAUA220N08S5N021AUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IAUC120N04S6N010ATMA1 IAUC120N04S6N010ATMA1 - 40V 1mΩ 150A N-Ch OptiMOS 6 | Infineon

IAUC120N04S6N010ATMA1 - 40V 1mΩ 150A N-Ch OptiMOS 6 | Infineon

IAUC120N04S6N010ATMA1 ✓ Actif
Infineon
IAUA220N08S5N021AUMA1 IAUA220N08S5N021AUMA1 - 80V, 220A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IAUA220N08S5N021AUMA1 - 80V, 220A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IAUA220N08S5N021AUMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IAUC120N04S6N010ATMA1 IAUA220N08S5N021AUMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,68 $2,45
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) 40 V —
Continuous Drain Current (Id, Tc) 150 A —
Power Dissipation (Pd, Tc) 150 W —
RDS(on) at VGS=10V (typ) 1.0 mΩ —
RDS(on) at VGS=10V (max per LCSC excerpt) 1.03 mΩ —
Gate-Source Threshold (VGS(th), typ) 3 V (at 90 µA) —
Technology OptiMOS 6 OptiMOS-5 (75V-120V family)
Boîtier PG-TDSON-8-34 (5x6 mm leadless) PG-HSOF-5-4 (7x8 mm²)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 qualified
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +175 °C (TJ, per Infineon OptiMOS 6 family) -55C to +175C (Tj)
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020, per Infineon TDSON family) [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level]
Statut RoHS Compliant Compliant
Gate Drive Recommendation 10 V VGS for full RDS(on) spec —
Polarity Single N-channel —
Drain-Source Voltage (V_DS max) — 80 V
Continuous Drain Current (I_D, Tj) — 220 A
Static Drain-Source On-Resistance (R_DS(on)) — 2.1 mΩ at 10 V V_GS
Power Dissipation (P_D, Tc) — 211 W
Gate-Source Voltage (V_GS max) — [DATA_NEEDED: V_GS max absolute rating]
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical/min/max]
Channel Type — N-Channel
Total Gate Charge (Q_g) — [DATA_NEEDED: Q_g typical at V_GS=10V]
Output Capacitance (C_oss) — [DATA_NEEDED: C_oss typical]
Thermal Resistance (R_thJC) — [DATA_NEEDED: junction-to-case thermal resistance]

Fiches techniques et ressources

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