IAUC120N04S6N010ATMA1 vs IAUC120N04S6N009ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUC120N04S6N010ATMA1 par Infineon et IAUC120N04S6N009ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUC120N04S6N010ATMA1 - 40V 1mΩ 150A N-Ch OptiMOS 6 | Infineon
IAUC120N04S6N010ATMA1 ✓ ActifInfineon
IAUC120N04S6N009ATMA1 - 40V 120A 0.9mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon
IAUC120N04S6N009ATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IAUC120N04S6N010ATMA1 | IAUC120N04S6N009ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,68 | $1,60 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (Id, Tc) | 150 A | — |
| Power Dissipation (Pd, Tc) | 150 W | — |
| RDS(on) at VGS=10V (typ) | 1.0 mΩ | — |
| RDS(on) at VGS=10V (max per LCSC excerpt) | 1.03 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold (VGS(th), typ) | 3 V (at 90 µA) | — |
| Technology | OptiMOS 6 | — |
| Boîtier | PG-TDSON-8-34 (5x6 mm leadless) | PG-TDSON-8-33 (5x6 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 |
| Plage de température de fonctionnement | -55 °C to +175 °C (TJ, per Infineon OptiMOS 6 family) | — |
| Niveau MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020, per Infineon TDSON family) | 1 |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Gate Drive Recommendation | 10 V VGS for full RDS(on) spec | — |
| Polarity | Single N-channel | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Family | — | OptiMOS 6 40V |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V_DSS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | — | 120 A |
| Courant de drain pulsé | — | [DATA_NEEDED: pulsed I_D value] |
| R_DS(on) max @ V_GS=10V | — | 0.9 mΩ |
| Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ | — | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value] |
| Total Gate Charge Q_g typ | — | [DATA_NEEDED: Q_g typical] |
| Power Dissipation (Tc) | — | 150 W |
| Thermal Resistance R_thJC max | — | 1.0 K/W |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55 °C to +175 °C |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes (per Infineon product page) |