IAUC120N06S5L011ATMA1 vs IAUC120N04S6L012ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUC120N06S5L011ATMA1 par Infineon et IAUC120N04S6L012ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUC120N06S5L011ATMA1 - 60V 1.1mOhm 310A OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IAUC120N06S5L011ATMA1 ✓ ActifInfineon
IAUC120N04S6L012ATMA1 - 40V 120A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon
IAUC120N04S6L012ATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IAUC120N06S5L011ATMA1 | IAUC120N04S6L012ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,10 | $1,21 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 5 60 V (S5 generation) | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 60 V | — |
| Gate-Source Voltage (V_GS) | [DATA_NEEDED: max V_GS rating] | — |
| Continuous Drain Current (I_D) | 310 A (Tj), 120 A marketing | — |
| R_DS(on) max | [DATA_NEEDED: R_DS(on) at V_GS = 4.5 V] | — |
| Power Dissipation (P_D) | 188 W at T_C = 25 °C | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55 °C to +175 °C | — |
| Boîtier | PG-TDSON-8-53 (TDSON-8 FL, 5 mm × 6 mm) | PG-TDSON-8 (TDSON-8, surface mount with exposed pad) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 qualified |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Niveau MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Avalanche Energy Rated | Yes (EAS) | — |
| Part Family | — | OptiMOS 6 40V |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 120 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 480 A |
| On-State Resistance (RDS(on)) at 10V VGS | — | 1.2 mΩ (typ) |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg at 20V VGS] |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 115 W |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55 °C to +175 °C (junction) |
| Delivery Form | — | Tape & Reel |