IAUC120N06S5L011ATMA1 vs IAUC120N04S6L012ATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IAUC120N06S5L011ATMA1 제조: Infineon 및 IAUC120N04S6L012ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

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IAUC120N04S6L012ATMA1 IAUC120N04S6L012ATMA1 - 40V 120A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N04S6L012ATMA1 - 40V 120A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N04S6L012ATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IAUC120N06S5L011ATMA1 IAUC120N04S6L012ATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $2.10 $1.21
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 60 V (S5 generation) —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DS) 60 V —
Gate-Source Voltage (V_GS) [DATA_NEEDED: max V_GS rating] —
Continuous Drain Current (I_D) 310 A (Tj), 120 A marketing —
R_DS(on) max [DATA_NEEDED: R_DS(on) at V_GS = 4.5 V] —
Power Dissipation (P_D) 188 W at T_C = 25 °C —
동작 접합 온도 -55 °C to +175 °C —
패키지 PG-TDSON-8-53 (TDSON-8 FL, 5 mm × 6 mm) PG-TDSON-8 (TDSON-8, surface mount with exposed pad)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 qualified
RoHS 상태 Compliant Compliant
MSL 레벨 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Avalanche Energy Rated Yes (EAS) —
Part Family — OptiMOS 6 40V
트랜지스터 유형 — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 120 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 480 A
On-State Resistance (RDS(on)) at 10V VGS — 1.2 mΩ (typ)
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg at 20V VGS]
Power Dissipation (PD) at TC — 115 W
동작 온도 범위 — -55 °C to +175 °C (junction)
Delivery Form — Tape & Reel

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