IAUC120N06S5L032ATMA1 vs IPD031N06L3GATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUC120N06S5L032ATMA1 par Infineon et IPD031N06L3GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUC120N06S5L032ATMA1 - 60V 120A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
IAUC120N06S5L032ATMA1 ✓ ActifInfineon
IPD031N06L3GATMA1 - 60V 100A 3.1mΩ N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon
IPD031N06L3GATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IAUC120N06S5L032ATMA1 | IPD031N06L3GATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,82 | $0,48 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 5 (60 V) | — |
| Type de transistor | N-Channel, Enhancement Mode | — |
| Drain-to-Source Voltage (V_DS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, T_j) | 120 A | — |
| R_DS(on) Max (V_GS = 10 V) | 3.2 mOhm | — |
| Power Dissipation (P_D, T_C = 25 C) | 94 W | — |
| Boîtier | PG-TDSON-8-34 (5x6 mm) | PG-TO252-3 (DPAK) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Plage de température de fonctionnement | -55 C to +175 C (T_j) | -55°C to +175°C |
| Technology | OptiMOS 5 Trench | MOSFET (Metal Oxide) |
| AEC-Q101 Qualified | Yes | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (Unlimited) |
| Gate Threshold Voltage V_GS(th) | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical and min/max] | — |
| Total Gate Charge Q_G | [DATA_NEEDED: Q_G total at V_GS=10V] | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 100 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 400 A |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 167 W |
| RDS(on) Max at VGS=10V | — | 3.1 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 1.0 V to 2.2 V |
| Gate Drive Voltage (Max RDS(on)) | — | 4.5 V, 10 V |
| Total Gate Charge (Qg) Typ | — | [DATA_NEEDED: Qg typical value] |
| Series | — | OptiMOS 3 |