IAUC120N06S5N017ATMA1 vs IAUC60N04S6L030HATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUC120N06S5N017ATMA1 par Infineon et IAUC60N04S6L030HATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUC120N06S5N017ATMA1 - 60V 120A 1.7mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IAUC120N06S5N017ATMA1 ✓ ActifInfineon
IAUC60N04S6L030HATMA1 - 40V 60A OptiMOS Half-Bridge | Infineon
IAUC60N04S6L030HATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IAUC120N06S5N017ATMA1 | IAUC60N04S6L030HATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,32 | $0,94 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 | — |
| FET Type | N-Channel, Enhancement Mode | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 120 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 757 A | — |
| RDS(on) at VGS=10V | 1.7 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.4 V (typ) | — |
| Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V | 95.9 nC | 35 nC |
| Input Capacitance (Ciss) | 6.952 nF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 84 pF | 596 pF |
| Output Capacitance (Coss) | 1.507 nF | 2.128 nF |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | 167 W | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55°C to +175°C | — |
| Boîtier | PG-TDSON-8-43 (TDSON-8 EP) | PG-TDSON-8-56 (TDSON-8, 5 mm x 6 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| AEC-Q101 Qualification | Yes (Automotive Grade) | — |
| Niveau MSL | MSL1 (260°C peak reflow) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS Compliance | Green Product (RoHS compliant) | — |
| Part Series | — | OptiMOS 6 |
| Configuration | — | Half-Bridge (2 N-Channel) |
| Continuous Drain Current (ID) at TJ | — | 60 A |
| On-Resistance R_DS(on) at VGS=10V | — | 3.0 mOhm (typical) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2 V |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TC | — | 75 W |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55 C to +175 C |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 (per part number suffix) |
| Statut RoHS | — | Compliant |