IAUC120N06S5N022ATMA1 vs IAUC60N04S6L030HATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUC120N06S5N022ATMA1 par Infineon et IAUC60N04S6L030HATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUC120N06S5N022ATMA1 - 60V, 2.2mΩ OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon
IAUC120N06S5N022ATMA1 ✓ ActifInfineon
IAUC60N04S6L030HATMA1 - 40V 60A OptiMOS Half-Bridge | Infineon
IAUC60N04S6L030HATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IAUC120N06S5N022ATMA1 | IAUC60N04S6L030HATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,68 | $0,94 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 40 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 170 A (Tj) | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 2.2 mΩ at VGS=10 V | — |
| Power Dissipation (PD) | 136 W (Tc) | — |
| Plage de température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: TJ min/max] | — |
| Boîtier | PG-TDSON-8-34 (TDSON EP 5x6) | PG-TDSON-8-56 (TDSON-8, 5 mm x 6 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS-5 trench | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Nombre de broches | 8 (with exposed pad) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 (per part number suffix) |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Sans halogène | Yes (per Infineon product family convention) | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: typical Qg] | — |
| RDS(on) at VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) @4.5V] | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Series | — | OptiMOS 6 |
| Configuration | — | Half-Bridge (2 N-Channel) |
| Continuous Drain Current (ID) at TJ | — | 60 A |
| On-Resistance R_DS(on) at VGS=10V | — | 3.0 mOhm (typical) |
| Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V | — | 35 nC |
| Output Capacitance (Coss) | — | 2.128 nF |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | — | 596 pF |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2 V |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TC | — | 75 W |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55 C to +175 C |
| Niveau MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |